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                  電氣工程學院教師在“半導體電子器件”領域的研究取得重要進展

                  2017年9月AG环亚真人游戏,電氣工程學院教師何紅宇等人的研究成果在電子器件期刊《IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES》上發表。平板顯示技術中,對各個像素的控制需要用到薄膜晶體管(TFT)AG环亚真人游戏。非晶InGaZnO-TFT是氧化物TFT的典型代表AG环亚真人游戏,被視為新一代顯示技術的關鍵器件。與普通MOS晶體管不同AG环亚真人游戏,非晶InGaZnO-TFT的溝道材料中存在陷阱態,這些陷阱態怎樣影響TFT的電流電壓特性,是值得研究的問題。論文首次建立了適用于不同溫度下的非晶InGaZnO-TFT的電流模型AG环亚真人游戏。模型建立在考慮帶隙中存在雙指數分布的深能態和帶尾態的基礎上,假設被陷阱態俘獲的電子濃度遠大于自由電子濃度,推導出了擴散電流和漂移電流,發現漂移電流占主導。

                  論文標題:“Analytical Drain Current Model for Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors at Different Temperatures Considering Both Deep and Tail Trap States”。論文鏈接:https://doi.org/10.1109/TED.2017.2721436

                  說明: E:\Manuscripts\IGZOTemp2017\Accepted\Submitted\FinalFilesofAcceptedPaper\Fig1a.tif說明: E:\Manuscripts\IGZOTemp2017\Accepted\Submitted\FinalFilesofAcceptedPaper\Fig1b.tif

                  說明: E:\Manuscripts\IGZOTemp2017\Accepted\Submitted\FinalFilesofAcceptedPaper\Fig1c.tif說明: E:\Manuscripts\IGZOTemp2017\Accepted\Submitted\FinalFilesofAcceptedPaper\Fig4.tif


                  圖1.非晶InGaZnO-TFT在(a)指數坐標,

                  (b)線性坐標,和(c)1/kT坐標下的電流

                  電壓特性AG环亚真人游戏。

                  圖2.非晶InGaZnO-TFT的擴散電流(Idiff)與漂移電流(Idrift)


                  本研究工作是與北京大學合作完成,在此對北京大學薄膜晶體管與先進顯示實驗室(深圳)的鼎力支持表示感謝。該研究成果,南華大學為第一作者第一單位,何紅宇為第一作者,論文提出的器件模型AG环亚真人游戏,一方面有利于明確半導體器件中電子的輸運機理;另一方面可用于集成電路設計和仿真。

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